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导师姓名:李成
性别:
人气指数:3134
所属院校:厦门大学
所属院系:物理科学与技术学院
职称:教授
导师类型:
招生专业:凝聚态物理、微电子学与固体电子学
研究领域:

微电子学与固体电子学

研究领域:

微电子学与固体电子学 [收起]

通讯方式 :
办公电话:2184220
电子邮件:lich@xmu.edu.cn
通讯地址:福建省厦门大学物理系
科研工作 :
李成,1970年12月出生,理学博士,厦门大学物理系教授/博士生导师。
2004.4-  厦门大学物理系,副教授、教授,2007年入选教育部新世纪人才计划
2002.1-2004.3 日本筑波大学物理工学系,量子电子学,助手
2000.7-2001.1 中国科学院半导体研究所,物理学,博士后,副研究员资格
1997.8-2000.7 中国科学院半导体研究所,微电子与固体电子学,博士研究生毕业
1995.6-1997.8 西安微电子技术研究所,集成电路设计,助理工程师
1992.8-1995.6  兰州大学物理系,凝聚态物理,硕士研究生毕业
1988.8-1995.6 兰州大学物理系,固体电子学,本科
主要成果:1) 系统地研究了大晶格失配材料系锗/硅的外延技术,利用低温缓冲层技术在硅衬底上制备出低位错密度的锗薄膜。在此基础上,外延出高质量张应变Ge/SiGe多量子阱结构,并首次观测到锗量子阱直接带室温光致发光及其量子限制效应。在硅衬底上外延出调制掺杂Ge/SiGe异质结构,发现调制掺杂可有效提高锗直接带的发光强度,并采用SOI衬底观测到微腔增强的室温光荧光 这些结果对具有间接带特性的Ge/Si材料用于光电子器件的可行性提供了重要的实验依据。采用外延的材料,研制出硅基锗长波长光电探测器。
2) 研究了硅基SiGe薄膜的氧化行为和氧化过程中应变的弛豫机理,澄清了一直存在争议的SiGe氧化过程中氧化速率饱和的作用机理,修正了Deal-Groove模型在氧化SiGe中的应用,指出氧分子在氧化物中的扩散仍然是限制氧化速率的关键因素。采用外延和氧化相结合的方法制备出锗组份可控的SGOI衬底,是发展下一代微电子器件的重要材料
3)利用UHV/CVD和MBE系统在国际上首次研制出硅基SiGe/Si多量子阱系列共振腔增强型光电探测器,将同类器件的量子效率提高了5倍以上。研究成果连续两次被美国光电子杂志Laser Focus World(WDM Solution)撰文在新闻栏目(newsbreak和R&D notes)中跟踪报道。该项研究的主要结果分别被Academic press出版的专著“Silicon germanium strained layers and heterostructure”和Springer公司出版的专著“Optical interconnect, the silicon approach”收入,并给予较高的评价。
4)提出并优化硅化铁纳米颗粒pin发光二极管结构,研制出室温低电流密度下发光的硅基电致发光器件,达到当时国际最好水平。
在国内外杂志如Applied Physics Letters,IEEE PTL,Nanotechnology等和会议上发表论文100多篇,其中被SCI收录80余篇,被引用450余次,被EI收录20余篇。获得4项中国发明专利。
教育背景 :
李成,1970年12月出生,理学博士,厦门大学物理系教授/博士生导师。
2004.4-  厦门大学物理系,副教授、教授,2007年入选教育部新世纪人才计划
2002.1-2004.3 日本筑波大学物理工学系,量子电子学,助手
2000.7-2001.1 中国科学院半导体研究所,物理学,博士后,副研究员资格
1997.8-2000.7 中国科学院半导体研究所,微电子与固体电子学,博士研究生毕业
1995.6-1997.8 西安微电子技术研究所,集成电路设计,助理工程师
1992.8-1995.6  兰州大学物理系,凝聚态物理,硕士研究生毕业
1988.8-1995.6 兰州大学物理系,固体电子学,本科
主要成果:1) 系统地研究了大晶格失配材料系锗/硅的外延技术,利用低温缓冲层技术在硅衬底上制备出低位错密度的锗薄膜。
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